说到SiC我们或许有些生疏，碳化硅（SiC）其实是一种遍及的运用的老牌工业资料，1893年开端大规模出产，至今一直在运用。不过自然界中特别难找到碳化硅。而在新能源轿车范畴，碳化硅大多数都用在动力操控单元。现在干流车厂依然运用IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片），但特斯拉、比亚迪已经在 Model 3、汉EV车型上开端运用Sic MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。

  比较于IGBT，碳化硅（SiC）是一个更先进的做操控器的电力电子芯片，频率、功率能做到很高，体积能够十分小。

  仅仅是将IGBT替换为SiC，就可进步整车续航才能10%左右，这关于极端介意续航才能的电动车来说收获颇丰。

  现在，比亚迪已研宣布SiC MOSFET。依照方案比亚迪发布的方案，估计到2023年，其旗下电动车将完成碳化硅功率半导体IGBT的全面代替，整车性能在现有基础上再提高10％。