碳化硅（SiC）电力电子器件将代替IGBT——这是英飞凌、罗姆等世界有名的公司共同观念。而比亚迪渐渐的开端布局。

  据国内新闻媒体报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表明，比亚迪车规级的IGBT现已走到5代，碳化硅MOSFET现已走到3代，第4代正在开发傍边。现在在规划自建SiC产线，估计到下一年有自己的产线。

  说到SiC我们或许有些生疏，碳化硅（SiC）其实是一种遍及的运用的老牌工业资料，1893年开端大规模出产，至今一直在运用。不过自然界中特别难找到碳化硅。

  范畴，碳化硅大多数都用在动力操控单元。现在干流车厂依然运用IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片），但特斯拉、比亚迪现已在 Model 3、汉EV车型上开端运用Sic MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。

  值得一提的是，汉EV也是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型。比较于IGBT，碳化硅（SiC）是一个更先进的做操控器的电力电子芯片，频率、功率能做到很高，体积能够十分小。

  研讨显现，SiC的功率损耗较IGBT下降了87％。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据能得出，仅仅是将IGBT替换为SiC，就可进步整车续航才能10％左右，这关于极端介意续航才能的电动车来说收获颇丰。

  比亚迪在半导体职业布局较早，早在2005年就成立了IGBT团队，并于2009年推出首款自主研制IGBT芯片，打破国外企业的技能独占。

  现在，比亚迪已研制出SiC MOSFET。依照方案比亚迪发布的方案，估计到2023年，其旗下电动车将完成碳化硅功率半导体IGBT的全面代替，整车性能在现有基础上再提高10％。