反应烧结碳化硅陶瓷
  • 天岳先进董秘回复: 碳化硅单晶作为新式半导体资料面对碳化硅衬备难度大技能门槛高级问题
来源:bob手机app    发布时间:2024-04-12 00:43:34
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  证券之星音讯,天岳先进(688234)01月05日在出资者联络平台上答复出资者关怀的问题。

  出资者:董秘您好!在公司IPO的招股阐明书里列出了2021年1-6月晶棒良率为49.90%,衬底良率为75.47%。请问依照上一年的最新统计数据,这两个良率都达到了多少?谢谢!

  天岳先进董秘:敬重的出资者,您好!碳化硅单晶作为新式半导体资料,面对碳化硅衬备难度大,技能门槛高级问题,到现在国际上仍只要少量企业把握衬底规模化出产才能,是工业链的中心关键环节。因为现在工业化制备办法,碳化硅大规模出产存在晶体缺点操控难度大的问题,现在公司对缺点的表征办法和操控手法进行基础研究,以继续前进晶体生长功率和良率。一起为继续保持在全球技能和产品竞赛中的身先士卒的优势,公司在前瞻研制技能布局上继续加大投入,未来,公司将不断紧跟工业趋势和技能前沿,继续夯实技能身先士卒的优势,聚集碳化硅衬底精耕细作,努力争取在技能层面完成继续打破和前进。谢谢您的重视!

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