反应烧结碳化硅陶瓷
- 【48812】微研报:碳化硅功能杰出 应用领域宽广
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第三代半导体资料又称宽禁带半导体资料,和传统硅资料首要的区别在禁带宽度上。(禁带宽度数值越大,则该种资料制造成器材的耐高压才能越强)
同样是三代半导体资料,比较氮化镓,碳化硅更具有大规模量产条件的可用于制备功率器材。
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