产业网获悉：近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。

  碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中着重关注的科技前沿领域攻关项目，凭借其优良的高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点，使得碳化硅模块具有非常明显的高效率、高压、高工作时候的温度的优势，在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。

  智新半导体有限公司是东风公司与中国中车2019年在武汉成立的，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领，广泛与中央企业、高等院校开展合作，从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节，实现关键核心技术的自主掌控。目前，碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项，参与行业标准制定2项。

  该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作时候的温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅度降低40%以上，整车续航能力提升5%-8%。

  智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项，并获得湖北省“高新技术企业”认证，武汉市专精特新“小巨人”企业认定。

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  简介 /

  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大

  器件在未来具有很大的发展的潜在能力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来

  陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热电阻现有工程相比改善了10%以上，工作时候的温度可达175igbt

  的产业化发展趋势 /

  场效应管（Si MOSFET）以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。

  水平应用，涵盖如通电源，与服务器电源，和迅速增加的电动汽车电池充电器市场等领域。

  MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具备极其重大的应用价值，非常适合于对

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使

  半导体行业的不懈追求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小

  MOSFET 的单通道驱动核，可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管

  系列产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

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