半导体巨子英飞凌官宣以8.3亿美元现金收买GaN Systems，并斥资20亿欧元扩展氮化镓及碳化硅芯片产能。作为第三代半导体资料典型代表，券商研报指出，2026年氮化镓商场规模有望超千亿元，整理工业链获益上市公司名单（附表）。

  财联社3月26日讯（修改 宣林）欧洲芯片制作商英飞凌近期官宣以8.3亿美元现金（57亿人民币）收买氮化镓全球技能领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩展其坐落马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。英飞凌功率和传感器体系总裁怀特表明，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司猜测，到2027年，氮化镓芯片商场将以每年56%的速度添加。

  GaN是第三代半导体资料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱满速率高、抗辐射能力强等优势，国家“十四五”研制方案清晰将全力支持第三代半导体工业的开展。国联证券剖析，英飞凌收买GaN Systems一方面表现了GaN在轿车、数据中心、工业等使用范畴的未来开展前途，另一方面也预示着工业链竞赛或将进入整合阶段。

  氮化镓现在与新动力轿车、光伏、5G、消费快充等下流范畴深度绑定。2017年-2021年，氮化镓商场规模从78.7亿元进步至358.3亿元，年复合添加率40.1%。头豹研究院指出，跟着氮化镓在新动力轿车使用浸透率提高，及在垃圾处理范畴等使用的拓宽，估计到2026年氮化镓商场规模将添加至1029.7亿元，年复合添加率27.7%。

  氮化镓工业链上游为衬底和外延，中游为器材制作商。碳化硅衬底+氮化镓外延层可制成射频器材，碳化硅基氮化镓射频器材可使用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用范畴；硅衬底+氮化镓外延层可制成功率器材，硅基氮化镓功率器材可在大功率快充充电器、新动力车、数据中心等范畴完成快速浸透；蓝宝石/氮化镓衬底+氮化镓外延层可制成光电器材，氮化镓光电器材在MiniLED、MicroLED、传统LED照明范畴使用优势杰出。

  衬底资猜中，碳化硅衬底与氮化镓器材匹配度高、性能好、且本钱比较来说较低，遭到广泛使用。全球碳化硅衬底商场集中度高，美国企业CREE和II-VI集团占有约60%的商场占有率，天岳先进、天科合达等我国本乡企业算计市占率仅10%左右。外延片资料方面，姑苏晶湛、聚能晶源、聚灿光电是我国出产制作氮化镓外延片的代表企业。

  氮化镓器材制作方面，IDM形式的代表厂商有三安光电、英诺赛科、士兰微电子、姑苏能讯、江苏能华、大连芯冠科技等公司，Fabless厂商主要有华为海思、安谱隆等，一起海威华芯和三安集成可供给GaN 器材代工服务（Foundry形式）。

  业内人士指出，氮化镓功率器材技能在快充范畴最为老练，在数据中心、工业范畴也现已逐渐开始使用，技能相对来说仍是比较老练。依据天风证券的测算，若全球选用硅芯片器材的数据中心都晋级为氮化镓功率芯片器材，将削减30%-40%的动力糟蹋。

  氮化镓器材用于新动力轿车的车载充电器、DC-DC转换器等范畴时，可在节能70%的一起使充电功率到达98%，添加5%续航，现在已有丰田、宝马等多家轿车厂商入局氮化镓范畴。据Yole猜测，车用GaN将从2021年的530万美元添加到2027年的3.09亿美元，CAGR高达97%。

  上市公司方面，除了上述的天岳先进、聚灿光电、三安光电、士兰微外，另据财联社整理，富满微、金溢科技、利亚德、北方华创、扬杰科技、赛微电子、华灿光电、新洁能、天箭科技、易事特、台基股份、兆驰股份也在氮化镓范畴有相关事务布局，详细情况如下：

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