原标题：碳化硅晶体生长和加工研发技术及产业化丨2020年中科院科技促进发展奖获奖团队

  “面向世界科学技术前沿、面向国家重大需求，面向国民经济主战场”是新时期中国科学院办院方针的重要内涵。为推动我院科学技术探讨研究面向国家地方需求、经济社会持续健康发展，进一步鼓励在服务国民经济、社会持续健康发展、社会公益等科学技术创新活动中作出重要贡献的集体，自 2014 年起，中国科学院设立了“中国科学院科技促进发展奖”。2020 年度共 9 个团队荣获该奖。本刊特开设“中国科学院科技促进发展奖”栏目，分期介绍相关团队及成果，号召广大科学技术人员向获奖者学习，求真务实，勇于创新，服务国家，造福人民，用更多有效的中高端科技供给，为实施创新驱动发展的策略作出更大的贡献。

  碳化硅（SiC）晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握 SiC 晶体生长和加工技术。SiC 晶体国产化，对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。团队自 1999 年以来，立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备到高质量 SiC 晶体生长和加工等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，实现了 SiC 晶体国产化、产业化，产生了良好的经济和社会效益，推动了我国宽禁带半导体产业的发展。

  形成了完整的自主知识产权，获授权发明专利 27 项（含 6 项国外专利），主持制定国家标准 3 项。成立了国内首家 SiC 晶体公司北京天科合达半导体股份有限公司，2019 年新增销售收入 1.55 亿元，新增利润 2 596 万元。北京天科合达半导体股份有限公司已发展成为国际知名 SiC 单晶衬底生产商之一，引领和推动了我国宽禁带半导体行业研究和产业链的发展。

  碳化硅晶体生长和加工研发技术及产业化.中国科学院院刊,2021,36(7):848-849.返回搜狐，查看更加多