汽车、光伏和储能等市场的加快速度进行发展，国内的碳化硅产业正迅速进入商业化阶段。国际功率半导体巨头对该产业表达了浓厚的兴趣，并与国内企业合作，积极追赶更先进的8英寸工艺节点。

  当前，碳化硅衬底在功率元器件中的成本占比接近50%。因此，国际巨头纷纷涉足碳化硅产业，并争相抢占8英寸制造技术的先机，甚至将量产时间提前至今年。

  明确的行业趋势是从6英寸扩径到8英寸。如果国内设备制造商仍然大幅度提高6英寸衬底设备产能，将面临“投产即落后”的问题。

  尽管目前主流芯片技术仍以6英寸为主，但美国的Wolfspeed公司慢慢的开始商业化生产8英寸衬底。国内少数厂家能够直接进行8英寸衬底的示范或小规模供货，但尚未形成大规模供货能力。就成熟度和价格而言，8英寸碳化硅技术相对于6英寸技术还不具备竞争优势，其发展前途主要根据未来新能源汽车等市场的需求规模。

  据报道，国内已有十余家企业和机构正在进行8英寸碳化硅衬底的研发工作。这一些企业包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体和乾晶半导体等。

  与传统的6英寸衬底相比，8英寸衬底的面积增加了约78%。由于边缘损耗减少，在相同的条件下，从一块8英寸衬底上切割出的芯片数量将提高近90%。因此，随着尺寸的增大，碳化硅晶片的利用面积也随之增加。从产品使用效率来看，目前可用面积方面，6英寸和8英寸之间相差约1.78倍。换句线英寸制造技术将在很大程度上降低碳化硅的应用成本。这一趋势对于推动碳化硅产业高质量发展具备极其重大意义。

  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著

  衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入慢慢的变大。这使得国内在全球

  器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8

  导电型产品将作为主流尺寸，但随技术的进步、基于成本和下游应用领域等因素考虑，8

  晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线

  晶片的影响 /

  产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期，受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动，

  衬底？ /

  的3倍多。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电

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