材料，是近年来最火热的材料之一。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业，万众瞩目。因此，有人称其是一种“。” 但是，最近这种“正在离地起飞的材料”似乎遇到了一些麻烦，一种原因是宣布减少75%的碳化硅应用让其陷入“失宠”的舆论漩涡；另一方面，随着第四代半导体氧化镓单晶及外延技术的接连突破，碳化硅或将迎来强悍的竞争对手。

  相比于第一代和第二代半导体材料，SiC具有一系列优良的物理化学特性，除了禁带宽度，还具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点。和传统的硅相比，碳化硅的使用极限性能优于硅，能够完全满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。

  碳化硅材料能够把器件体积做的越来越小，性能慢慢的变好。所以近年来电动汽车厂商都对它青睐有加，使其成为HEV电力驱动装置中的理想器件，可以显著减小电力电子驱动系统的体积、重量和成本，提高电机驱动的功率密度，从而增加电动车的行驶里程。   5年前特斯拉率先在model3主驱逆变器上使用碳化硅，开辟了碳化硅“上车”的先河。之后，比亚迪、吉利、上汽大众、蔚来等车企加速布局，在提高续航能力、实现超级快充、实现V2G功能等方面加足了马力，电动汽车销量的一直增长，也带动了市场对碳化硅功率器件的需求，顿时掀起了一股持续至今的碳化硅“上车热”。

  布局碳化硅“上车”的部分车企，来源：中关村智能网联研究汇 然而，就在碳化硅让整个电动汽车产业彻底“着迷”之际，3月2日，在特斯拉投资者大会上，特斯拉方面表示，下一代平台将减少75%的碳化硅用量，消息一出，立马引起了全球碳化硅板块股票市场的波动，也引发产业界各种猜测。

  据有些业内人士分析，特斯拉减少碳化硅用量，主要用意是减少相关成本，提升产量。在特斯拉投资者大会上，特斯拉透露，到2022年，Model 3每辆车的成本已经降低30%，但“下一代汽车平台”有望再降低50%的成本，这在某种程度上预示着下一代平台汽车的总拥有成本也将低于其目前的所有车型。

  一方面，特斯拉碳化硅用量很大。东吴证券在相关报告中提到，据市场估算，特斯拉未来将逐步将碳化硅使用至OBC、充电器、快充电桩等，预计平均2辆特斯拉纯电动车就需要一片6寸SiC晶圆。以年产能100万辆Model 3/Y计，公司一年需要超50万片6寸晶圆，而目前全球SiC晶圆总年产能在40万~60万片。这在某种程度上预示着，特斯拉一家公司就能消耗掉当下全球碳化硅总产能。

  另一方面，碳化硅成本仍很高。据了解，从全生命周期的角度来看，碳化硅的应用具有较高的性价比，单价成本虽然会上升，但系统成本将会一下子就下降。不过，短期内的成本提升并不能忽略。碳化硅制备过程中一次性价格高昂耗材占比过重、制备工艺实现条件难度大、制备污染处理费用高以及晶体微管密度高等等原因是导致碳化硅成本高昂的重要原因。 因此，业内人士分析，在宏大的降本目标下，碳化硅目前存在着的制备成本高、成品良率低等“慢节奏”， 很难跟上他们汽车销量的目标。因此，以特斯拉现在面临的投资压力预测减少碳化硅的使用或许只是其短期内的计划，不会动摇碳化硅 “上车”的大趋势。

  第四代半导体氧化镓制备频获突破，或将与碳化硅直接竞争3月14日，西安邮电大学宣布，该校陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我国在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

  从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。2022年5月，浙大杭州科创中心首次采用新技术路线 mm)的氧化镓晶圆，而使用这种具有完全自主知识产权技术生产的2英寸氧化镓晶圆在国际上为首次。

  2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。   2023年2月，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

  在后摩尔时代，具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出，而氧化镓的出现，为产业带来了新风向。据了解，作为超宽禁带半导体材料的一种，氧化镓禁带宽度达到4.9eV，超过第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV）。更宽的禁带宽度意味着电子需要更加多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。   此外，氧化镓的导通特性约为碳化硅的10倍，理论击穿场强约为碳化硅3倍多，可以大大降低新能源汽车、轨道交通、可再次生产的能源发电等领域在能源方面的消耗。多个方面数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。

  不过，由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。此外，氧化镓热导率仅为碳化硅的十分之一，是硅的五分之一，这也就从另一方面代表着以氧化镓为材料基础的半导体器件存在着很大的散热难题，业界也一直在寻求更好的方法去优化和改善这一问题。   但可以肯定的是，氧化镓是一个很好的半导体材料。尽管氧化镓发展尚处于初期阶段，但其未来市场发展的潜力依然备受期待。日本氧化镓领域有名的公司FLOSFIA预计，2025年氧化镓功率器件市场规模将开始超过氮化镓，2030年达到15.42亿美元（约合人民币100亿元），达到碳化硅的40%，氮化镓的1.56倍。

  中国科学院院士郝跃认为，氧化镓材料是最大有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为存在竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。业内也一致认为，未来，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。

  声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

  （SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状

  （SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料

  PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

  MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

  更新换代，SiC并不例外新一代半导体开关技术出现得慢慢的变快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着

  （SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs

  是宽禁带半导体材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用上的要求，需要散热性能更好

  的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

  (SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

  作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更加高，工作速度更快

  1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到

  晶体管产品介绍TGF2023-2-10报价TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨询热线现货,王先生*** 深圳市首质诚

  晶体管产品介绍TGF2023-2-10报价TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10TGF2023-2-10现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司

  通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小

  作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被愈来愈普遍地用于高频高温的工作场合。为了更好的提高永磁同步电机伺服控制管理系统的性能

  (Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身

  大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开

  二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的

  在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件（如 TO-247）是将

  MOS基于车载OBC与充电桩新技术：1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路

  分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

  肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

  技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如

  (SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于

  或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们一起看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。

  MOSFET芯片的半桥功率模块系列新产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

  (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥

  解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝

  做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎各位有问题及时交流，谢谢各位！

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

  在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本

  （SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实

  很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热线胀系数小、耐磨性能

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状

  产业链企业盘点分析：英飞凌以1.39亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动

  逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

  功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在一定的优势，随着特斯拉大规模量产

  技术可以帮助电动汽车实现快充，增加续航；这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们

  的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

  是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，

  材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，以此来降低电机的成本。

  功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC

  点击蓝字 关注我们 本文来源：中国电子报 在能源电子产业加速发展的背景下，全球光伏装机量持续攀升，为

  晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。

  到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，

  物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于

  二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，大范围的使用在高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。

  MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中MOSFET表示金属氧化物半导体场效应晶体管，

  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。

  功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，

  都是半导体器件，它们之间的区别大多数表现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  （SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是

  （SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用，但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍

  衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的

  (SiC) 是一种大范围的应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力，

  成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中，我们将讨论

  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有非常明显优势。

  （SiC）半导体材料的功率电子设备，大多数都用在将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，

  逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，