功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。可以在一定程度上完成电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。

  功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关器件，优点是体积小、寿命长、可靠性高，现在市场上使用程度最大的是第4代器件，全球有突出贡献的公司为英飞凌，其现在的IGBT器件为商业化的第七代，主要使用在于乘用车、光伏和风电能源领域。

  GaAs器件在微波领域的应用十分普遍，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。

  本文将详细的介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。

  虽然氮化镓的HEMT器件相对碳化硅来说起步晚了点，但是现在氮化镓的HEMT器件的势头非常迅猛，所以对于氮化镓器件的生产厂商来说，评测氮化镓器件的紧迫性也是非常强烈的。

  在碳化硅产业链中，碳化硅衬造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。

  从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。

  现有车用控制器普遍采用硅芯片，经过20多年的技术开发已经十分成熟，在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限。以碳化硅为代表的第三代半导体材料因具有高热导率、高硬度、耐非物理性腐蚀、耐高温、对光波透明等优良性质，吸引各国学者的注意力，目前已成为电力电子器件的新宠。

  静电放电（ESD）二极管通过耗散静电放电的高能量来保护关键电子系统和子系统。这可保护重要的SOC（系统芯片）和其他器件在ESD事件期间免遭损坏。

  近期，半导体产业网记者从安建科技官微获悉，安建科技将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。

  全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。

  将来自多光谱图像的信息组合成融合图像，不但可以提供丰富的信息，而且有助于人类或机器感知。

  博世提供涵盖从半导体到e-Axles电桥系统的产品。从乘用车到卡车，博世能够给大家提供其混动车型和电动车型的全栈产品。

  PI的PowiGaN技术与同行所使用的其他氮化镓技术，在生产及可靠性管控方面也不一样。他们的开发工作涵盖了产品制造和设计环节的每个方面，从外延生长到晶圆厂的晶圆制造，再到可靠性测试、器件本身的设计以及生产的全部过程中的质量控制，一直到性能和可靠性的系统级验证。在产品认证期间，将会进行非常严苛的可靠性测试，并执行一些JEDEC标准的测试。

  江苏长晶科技股份有限公司是一家专门干半导体产品研制、生产和销售的企业。

  影响最大的就是电容器的引线，CBB电容一般有两根金属引线，使用的多是CP线（镀锡铜包钢线），或者是CU线（镀锡铜线），金属存过过久会出现氧化的现象，这样电容器在焊接的时候，可能会存在虚焊的情况。

  2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作时候的温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。

  2023年9月14日，由电子发烧友主办的第五届模拟半导体大会暨模拟半导体飞跃成就奖颁奖典礼在深圳隆重举行。 杭州晶华微电子股份有限公司（股票代码：688130） 作为中国模拟半导体行业不断拓展践行的先锋者之一，受邀参加了本届大会并荣获“模拟半导体优秀企业奖”。 本次会议以 “浣纱淘金·模拟论芯” 为主题，汇聚了众多业界优秀企业代表及专业嘉宾，进行技术探讨和产品分享。同期，第五届模拟半导体飞跃成就奖颁奖典礼也顺利举行。 颁奖典

  欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说，要在7年时间内实现这一目标。显然，全球朝着可再次生产的能源迈进已成必然趋势，全世界都在探索如何利用可再次生产的能源来满足能源需求，同时降低碳排放。就可再次生产的能源和储能系统而言，有许多幕后功臣在为生产可再次生产的能源默默付出。