天岳先进(688234)10月10日在出资者联络平台上答复了出资者关怀的问题。

  出资者：董秘先生您好，请问贵公司研制的lpe制备工艺的缺点等级较现在pvt制备法的衬底是否有进步或许是否能到达现在职业的干流水平？

  天岳先进董秘：敬重的出资者，您好！出产碳化硅单晶衬底的要害步骤是单晶的成长，也是碳化硅半导体资料使用的首要技能难点，是产业链中技能密集型和资金密集型的环节。PVT法是现在规模化碳化硅晶体成长办法。而液相SiC长晶技能具有多个优势，包含晶体质量高、本钱低一级，近年来遭到高度重视。现在液相法没有完结产业化大规模出产。公司积极探索和布局前瞻性技能，包含长晶工艺方面的液相法（LPE法）工艺。在2023Semicon论坛上，公司首席技能官高明博士报告了公司中心技能及前瞻性研制状况，经过液相法制备出了低缺点密度的8英寸晶体，归于业界创始，也代表了公司抢先的技能实力。公司打破了包含晶体成长溶液规划、晶体成长热场规划、晶体成长界面操控等许多技能瓶颈问题。公司是国际上少量几个自主把握碳化硅衬备中心要害技能能够在必定程度上完结规模化出产的企业之一，特别是具有杰出的产业化经历。公司近年来研制投入较大，研制与规模化出产构成杰出的正循环堆集，一方面公司工程化实验数据为技能和良率的继续改善供给了要害支撑，也是产品质量抢先的重要的条件；另一方面，碳化硅衬备具有较高的技能壁垒，一起技能发展一日千里，这都有助于进步衬底质量、下降衬底本钱、推进碳化硅半导体资料和技能的加速浸透使用。未来，公司将继续加大研制力度，不断打破技能瓶颈，加速产品立异，稳固和进步公司在职业中的领头羊。谢谢您的重视！

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