碳化硅：出路光亮的第三代半导体资料。咱们咱们都以为下流电力电子范畴向高电压、高频等趋势跨进，碳化硅资料的特性决议了它将会逐步替代传统硅基，翻开巨大的商场空间。因为碳化硅产业链触及多个杂乱技能环节，将会经过系列陈述方式对其进行完好整理。

  第三代半导体功能优胜，运用场景更广。半导体资料作为电子信息技能发展的根底，阅历了数代的更迭。跟着运用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体资料逐步进入产业化加快放量阶段。相较于前两代资料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优胜功能，大范围的运用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器材。

  国外厂商多以IDM形式布局，国内企业专心单个环节。碳化硅产业链顺次可分为：衬底、外延、器材、终端运用。国外企业多以IDM形式布局全产业链，如Wolfspeed、Rohm及意法半导体（ST），而国内企业则专心于单个环节制作，如衬底范畴的天科合达、天岳先进，外延范畴的瀚天天成、东莞天域，器材范畴的斯达半岛、泰科天润。

  新能源车范畴将会为SiC功率器材带来非常大增量。在新能源车上，碳化硅器材首要运用在主驱逆变器、OBC（车载充电机）、DC-DC车载电源转化器和大功率DCDC充电设备。跟着各大车企相继推出800V电压渠道，为满意大电流、高电压的需求，电机控制器的主驱逆变器将不可避免的由硅基IGBT替换为SiC-MOS，带来非常大添加空间。

  碳化硅功率器材能进步光伏逆变器转化功率，削减能量损耗。光伏发电方面，现在根据硅基器材的传统逆变器本钱约占体系10%左右，却是体系能量损耗的大多数来自之一。运用SiC-MOS为根底资料的光伏逆变器，转化功率可从96%提高至99%以上、能量损耗下降50%以上、设备循环寿数提高50倍，然后可以缩小体系体积、添加功率密度、延伸器材惯例运用的寿数、下降生产本钱。

  2025年碳化硅衬底商场或将添加至143亿元，需求量到达420万片。按照咱们测算：到2025年，新能源车范畴用碳化硅衬底商场规模将到达102亿元，需求量达304万片；光伏范畴将到达20亿元，需求量53万片。全球碳化硅衬底总商场规模将从19亿元添加至143亿元，需求量将从30万片添加至420万片。