性能，有可能实现更高效、更紧凑的电子设备。随着SiC技术的不断成熟和成本下降，预计这项技术将更普遍地在多个领域中得到普遍应用——从电动汽车到航空航天技术等。

  本文将收集SiC行业的最新新闻，以了解该技术的主要参与者、制造发展和新的模拟软件，其中模拟软件能加速基于SiC设备的开发。

  尽管SiC在电动汽车动力系统中具有性能优势，但特斯拉还是做出了这一决定，主要考虑因素是供应链。与许多行业一样，SiC制造业在过去几年受到供应链波动的严重影响。由于SiC是一种相对较新的半导体材料，缺乏硅的高效大规模制造规模，供应链波动对这类半导体的影响要显著得多。

  因此，特斯拉决定在未来的动力系统中减少75%的SiC，一种原因是基于经济上的考虑，另一方面是要保持汽车的产能。

  三菱最近宣布建造一个新的SiC晶圆厂。该工厂将需要约1000亿日元的投资，专门用来制造8英寸SiC晶圆，并增强相关的生产设施。新工厂还将包括一个洁净室，具有先进的能源效率和高水平的自动化生产效率。

  继三菱之后，Wolfspeed最近也宣布计划在德国建造全球最大的SiC制造厂。该工厂占地35英亩，原是萨尔州的一家燃煤电厂，全面运营后将雇佣600多人。该公司计划在这里建立一个先进的200毫米晶圆制造工厂，这也是Wolfspeed在欧洲的第一个工厂。

  另外，Microchip最近也有消息透露其计划在Colorado州投资8.8亿美元用于未来的碳化硅和硅产能。通过这笔投资，Microchip计划升级其50英亩，58万平方英尺的Colorado Springs园区，以增加其用于汽车/电动交通、电网基础设施、绿色能源、航空航天和国防应用的SiC制造。Microchip制造的是8英寸晶圆。

  其中一个新工具来自Microchip，该公司最近发布了MPLABSiC功率模拟器。新的功率模拟器使用基于PLECS的软件环境，允许客户在硬件设计之前评估Microchip的SiC功率器件和模块。Microchip相信，有了这个工具，设计人能更好地评估产品和设计，从而缩短SiC设计的上市时间。

  Onsemi也发布了一款新的SiC仿真工具，发布了在线Elite Power模拟器和PLECS模型生成器。这两种工具都旨在让工程师在产品生命周期的早期阶段洞察复杂的电力电子应用。通过对onsemi的EliteSiC产品进行系统级模拟，该公司希望新工具能节约工程师的时间和设计成本。

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  （SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状

  （SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料

  PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

  MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

  更新换代，SiC并不例外新一代半导体开关技术出现得慢慢的变快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着

  （SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs

  是宽禁带半导体材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用上的要求，需要散热性能更好

  的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

  (SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

  作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更加高，工作速度更快

  1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到

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  通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小

  作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被愈来愈普遍地用于高频高温的工作场合。为了更好的提高永磁同步电机伺服控制管理系统的性能

  半导体。另外，很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体，其内部电路在高压

  (Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身

  大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开

  二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的

  在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件（如 TO-247）是将

  MOS基于车载OBC与充电桩新技术：1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路

  分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

  肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

  技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如

  (SiC)MOSFET(C3M0065100K)实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于

  或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们一起看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。

  MOSFET芯片的半桥功率模块系列新产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

  (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥

  解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝

  做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎各位有问题及时交流，谢谢各位！

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

  在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本

  （SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实

  很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热线胀系数小、耐磨性能

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状

  产业链企业盘点分析：英飞凌以1.39亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动

  逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

  技术可以帮助电动汽车实现快充，增加续航；这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们

  的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

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  是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，

  材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，以此来降低电机的成本。

  功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC

  在新能源汽车中占据着重要位置，相关概念在长期资金市场上也一度受到热捧，更具戏剧性的是，

  晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。

  到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，

  物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于

  二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，大范围的使用在高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。

  MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中MOSFET表示金属氧化物半导体场效应晶体管，

  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。

  功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，

  都是半导体器件，它们之间的区别大多数表现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  （SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是

  (SiC) 是一种大范围的应用于温度传感器中的材料。由于其出色的耐高温和抗腐蚀能力，

  成为了各种工业和高温环境下的温度测量领域中的首选材料。在本文中，我们将讨论

  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有非常明显优势。

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，