11月3日，由全球电子技术领域知名媒体集团ASPENCORE主办的2021全球CEO峰会暨全球电子成就奖(WEAA)颁奖典礼在深如期举办。比亚迪半导体三相全桥碳化硅功率模块荣膺2021全球电子成就奖之“年度功率半导体/驱动器”!

  2021全球CEO峰会聚焦新工业战略，国内外产业领袖共享行业前瞻。比亚迪半导体股份有限公司总经理陈刚发表主题为《芯生态·新发展比亚迪车规级半导体整体解决方案》的精彩演讲。

  在谈及如何助力实现车规级半导体产业全面加快速度进行发展时，他表示：“比亚迪半导体慢慢地增加科学技术创新能力，重视基础科学研究和工艺创新，上下游产业链协同合作实现产品性能最优比，以车规级半导体为核心持续拓展下游应用场景。”

  在芯生态模式下，陈刚先生深入阐述比亚迪车规级半导体整体解决方案，通过加快研发进度、缩短验证周期、实现产品性能最优化、提升产品可靠性、保障供应稳定安全等各维度，以高效为核心重点提升功率半导体效率，降低功率损耗，使Si和SiC同步发展;以智能、集成为核心，重点提高关键芯片智能化程度，满足车规级高控制能力需求，最终达到集成化方案和协同化应用的高度融合，使整车在定义智能化汽车当中实现所有的功能协同应用。

  据悉，全球电子成就奖由ASPENCORE全球资深产业分析师组成的评审委员会和来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选，旨在表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业及管理者，充足表现了其在业界的极高地位与深远影响力。经过历时3个月的激烈角逐，多维度综合评定，比亚迪半导体三相全桥碳化硅功率模块在众多知名强劲产品中脱颖而出，以硬核实力斩获2021全球电子成就奖之“年度功率半导体/驱动器”。

  比亚迪半导体碳化硅功率模块因其创新技术、优异性能及搭载在应用端上出众的表现，已获得业内广泛关注与认可，为国内首款批量装车的碳化硅模块。其采用纳米银烧结工艺代替传统焊料焊接工艺，相比传统焊接产品，可靠性提升5倍以上，连接层导热率提升达10倍;采用氮化硅AMB陶瓷覆铜基板，可靠性提升10倍，且增加覆铜厚度来增加横向散热能力;采用超声波焊接工艺连接绝缘基板金属块与外部电极，减小模块杂散电感，并增强过流及散热能力。

  SiCMOSFET，作为新能源汽车下一代功率半导体核心器件，其超低的开关及导通损耗、超高的工作结温等特性，在实现系统高效率和高频化方面起到了决定性作用。

  此次获奖的比亚迪半导体碳化硅功率模块，系一款三相全桥拓扑结构的灌封全碳化硅功率模块，主要使用在于新能源汽车电机驱动控制器。它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分的发挥了SiC功率器件的高效、高频、耐高温优势。该碳化硅功率模块于2020年搭载比亚迪明星车型“汉EV)”上市，助力整车实现百公里加速3.9s，百公里能耗降低1度电，续航提升5%以上，极大的提升SiC电控的综合效率，使整车的动力性、经济性表现出色。

  凭借多年的功率器件设计经验和集团汽车级应用平台资源，比亚迪半导体率先进军SiC功率器件研发领域。经过不懈努力，其已成为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的半导体公司，牢牢掌握SiC研发的核心前沿技术，同时公司也是全球首家、国内唯一实现SiC三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体企业。

  未来，比亚迪半导体将一直在优化提升IGBT及SiC功率器件性能表现，往高效率、高集成、高可靠性方向不断发展。

  半导体行业是极度依赖全球化的产业，产业链分工明确，上下游的协同在半导体产业高质量发展过程中起着至关重要的作用。

  历经17载，比亚迪半导体依靠自主研发掌握一系列核心技术，在功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体等领域深入布局，凭借持续的研发投入、经验比较丰富的开发团队和多年的技术积累及应用实践，形成了丰富的产品线，并在车规级产品领域实现了重大技术突破。IGBT、SiC器件、 MCU、LED光源、电流传感器等车规级产品均已实现量产及装车，拥有了大规模的应用数据，在车规级半导体自主可控进程中掌握先发优势，具备为整车厂提供集成化解决方案和协同化应用平台的能力。比亚迪半导体现已成长为国内领先的车规级半导体整体方案供应商，产品已基本覆盖新能源汽车核心应用领域,如电控系统、电池管理系统、热管理系统等。

  惟创新者进，惟创新者强，惟创新者胜。比亚迪半导体获此殊荣，离不开其对技术创新的不懈追求。面对汽车百年未有之大变局的机遇与挑战，比亚迪半导体将持续以创新的产品和强大技术实力，充分的利用整车制造平台优势，打破国产车规级半导体下游应用瓶颈，始终走在技术创新和产品应用的最前沿，提供领先的半导体产品及解决方案，实现集成化方案与协同化应用高度融合，持续向行业注入新的活力。

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