【效果简介】 陶瓷覆铜板外壳的底座由氮化硅陶瓷覆铜基板、通孔铜柱、封口环等部分所组成，具有大载流才能，强绝缘及高气密性的长处。该外壳用于MOS多芯片封装，可用于阳极点火器封装模块及其他功率模块。氮化硅陶瓷覆铜基板布线灵敏，通过化学蚀刻即可制备出不同功用要求的电路板，尺度依据本身的需求进行变化，焊盘互联可通过大载流的铜柱完成正反面衔接，调整通孔方位即可扩展为新的产品。该外壳支撑最大载流20A，满意军用器材的气密性及牢靠性要求，一起，相较于其他陶瓷外壳，氮化硅覆铜外壳具有优异的机械性能，适用于机械振动、冲击较强的场合。通过两年的攻坚，技能成熟度到达六级。