碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。一般会用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。

  随着碳化硅下游市场的超预期发展，碳化硅产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。

  美国厂商占据主导地位，国内度过产业化元年。Wolfspeed的出货量占据了全球的45%。2021年是国内SiC产业化元年，2021年一季度国内新增SiC项目合计投资金额达到630亿元，超过2020年全年的水平，达到2012-2019年合计值的5倍以上。

  目前，碳化硅衬底主流尺寸为4-6 英寸，8 英寸衬底仅有Wolfspeed、II-VI公司意法半导体ST等少数几家研制 成功，其中，Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量产技术并建设对应晶圆厂的公司。

  碳化硅精细微粉作为一种新型的多复合性功能材料，近年来被大范围的应用于高端太阳能、半导体切割研磨、LED、非金属陶瓷、高性能密封环等领域。尤其是最近几年，无论国内外媒体及产业政策导向，都极力助推了这一新兴起的产业的快速发展。光伏产业强烈的发展预期，导致碳化硅行业炙手可热，吸引了大批的企业和社会投资者纷纷涌入，克服节能减排等多方压力，各种规模的碳化硅生产企业可谓是遍地开花，乐观情绪渐盛。

  碳化硅行业要解决发展中资源、环境等方面的压力，应该着眼于技术引领行业进步。在碳化硅生产中，关注生产制造的绿色、低碳化。依靠技术升级，提高生产规模，利用规模优势降低单位能耗；注重生产的全部过程中如碳化硅回收、粉尘处理、水的循环再利用等，降低资源利用。

  碳化硅发展前途预测，就是在碳化硅市场调研获得的各种信息资料的基础上，运用科学的预测技术和方法，对影响碳化硅市场供求变化的诸因素做出详细的调查研究，分析和预见碳化硅发展的新趋势，掌握碳化硅市场供求变化的规律，为经营决策提供较为可靠的依据。

  第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展趋势，是我国半导体产业弯道超车的机会，要重点扶持、协同攻关第三代半导体产业，可以在国内重点扶植3-5家世界级有突出贡献的公司，加大整个产业链条的合作力度。

  国内外各大半导体元器件企业纷纷加大了新产品的推广力度，第三代半导体也开始频频出现在各地园区招商引资名单中。8月18日一手消息，碳化硅龙头科锐（Cree）宣布2021年财年第四季度财务报表时透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工厂，使其能够充分的利用未来几十年的增长机遇。

  新能源汽车是SiC功率器件的主要增长点，充电桩也是，以直流充电桩为例，据CASA测算，电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%，2018年整个直流充电桩SiC电力电子器件的市场规模约为1.3亿，较2017年增加了一倍多。

  SiC功率器件存在很多优势，未来发展空间也在逐渐增大，不过在发展SiC器件的过程中，还是存在不少问题，从近几年的发展来看，国内外厂商还是研究机构，都在加大投入发展更有的技术和产品，相信未来SiC器件不管在性能还是价格等多方面都会更适应市场需求。

  （SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，

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